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MBRD360T4G ONSEMI Schottky Barrier Rectifiers 3A  60V
2SC2712 TOSHIBA TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN S-MINI
2SA1162 TOSHIBA TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 3PIN S-MINI
2SC1815 TOSHIBA TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN TO-92 停产,推荐使用2SC2712
2SK4107 TOSHIBA Slinicon N Channel MOS 新设计不推荐使用
2SC2873 TOSHIBA Power transistor for high-speed switching applications  NPN
2SA1213 TOSHIBA Power transistor for high-speed switching applications PNP
2SA1015 TOSHIBA TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 3PIN TO-92 停产,推荐用2SA1162 三极管 2SA1015 ,与 2SC1815 是 组合对管 , 2SA1015 封装有TO92.SC-43两种封装,订购时请说明。 2SA1015 为 PNP型晶体管 ,主要用作低频,音
2SK3878 TOSHIBA Silicon N Channel MOS  
2SK3767 TOSHIBA Slinicon N Channel MOS 东芝场效应管 2SK3767 ,替代之前 2SK3067 场效应管, 2SK3767 采用TO220封装, 为NPN沟道管,漏极最大电流2A,支持最大电压600V,最大功率25W. 2SK3767 是MOSFET输出型。
NJVMJD128 TOSHIBA Silicon Power Transistors  8 Amperes 120V,20W
MBRD340T4G ONSEMI Schottky Barrier Rectifiers 3A  40V
D45VH10G ONSEMI Complementary Silicon Power Transistors  80V,83W 安森美场效应管 D45VH10G 是 PNP型晶体管 ,TO220封装,与 D44VH10G 是互补硅 功率晶体管。支持电压80V,最大功率是83W,最大电流15A,工作温度范围在-55
D44VH10G ONSEMI Complementary Silicon Power Transistors  80V,83W 安森美场效应管 D44VH10G 是 NPN型晶体管 ,TO220封装,与 D45VH10G 是 互补硅 功率晶体管 。支持电压80V,最大功率是83W,最大电流15A,工作温度范围在
MJB44H11 ONSEMI Silicon Power Transistors  10 Amperes 80V,50W 安森美 MJD45H11T4G 是 NPN型三极管 ,与 MJD44H11T4G 是 互补功率晶体管 。 采用TO252封装,支持电压达80V,集电极电流最大8A,最大功率20W.
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